Device Simulation

AI+TCAD 器件仿真

调节器件结构与工艺参数，实时体验 AI 驱动的超高速器件仿真

参数修改后需点击仿真按钮刷新结果

器件类型

结构参数

栅长 Lg 14 nm
氧化层厚度 Tox 1.2 nm
鳍片高度 Hfin 50 nm

工艺参数

沟道掺杂浓度 1e17 cm⁻³
源漏掺杂浓度 1e20 cm⁻³

偏置条件

漏极电压 Vds 0 ~ 1.0 V
栅压扫描范围 0 ~ 1.5 V

输出特性曲线

漏极电流随漏极电压变化关系 · FinFET 器件

就绪
器件截面电场强度 | 单位: MV/cm
高
低
拖拽旋转 · 滚轮缩放 · 右键平移

工艺约束窗口

栅长 Lg 可制造区间 8 ~ 22 nm
EOT/Tox 可靠性区间 1.0 ~ 1.8 nm
目标 Vth0.38 ~ 0.52 V
Ioff 上限< 1e-5 mA/μm
E-field 上限< 3.0 MV/cm
工艺综合评分热力图：Ion/Ioff、Vth、Ioff、可靠性约束

推荐工艺点

扫描点数-- 点
推荐 Lg / Tox--
目标函数评分--
Idsat--
Ioff--
Vth--
Ion/Ioff--
约束检查
等待运行优化
Vgs = 0.4V
Vgs = 0.8V
Vgs = 1.2V
阈值电压 Vth
0.32 V
饱和电流 Idsat
1.28 mA/μm
相对误差
0.42 %

AI 仿真 vs 传统 TCAD 仿真

AI 代理模型仿真
  • • 基于深度神经网络的物理信息代理模型
  • • 支持快速代理推理和百万级参数空间扫描
  • • 与数值仿真误差 < 1%
传统数值 TCAD 仿真
  • • 基于有限元法求解偏微分方程组
  • • 作为代理模型校准与验证基准
  • • 大规模参数扫描需耗费大量计算资源
  • • 物理严格解，精度最高